Бончик Олександр Юрійович

Бончик Олександр ЮрієвичОсвіта: Львівський державний університет iмені Івана Франка (спеціальність - радіофізика і електроніка, 1983 р.)

Науковий ступінь: кандидат фізико-математичних наук (01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків, 1989 р.)

Вчене звання:старший науковий співробітник

Посада за основним місцем роботи:старший науковий співробітник

Область наукових інтересів:

Наукові досягнення:

Телефон службовий: (032) 258-51-39

E-mail: surface@iapmm.lviv.ua

 

Publication:

2021

[1] I.Izhnin, A.V.Voitsekhovskii, A.G.Korotaev, K.D.Mynbaev, Z.Swiatek, J.Morgiel, O.I.Fitsych, V.S.Varavin, D.V.Marin, M.V.Yakushev, O.Yu.Bonchyk, H.V.Savytskyy Nano-scale structural studies of defects in arsenic-implanted n and p-type HgCdTe films // Applied Nanoscience. -2021 . PDF

2020

[2] I.I.Izhnin, K.Mynbaev, A.Voitsekhovskii, S.N.Nesmelov, S.M.Dzyadukh, A.Korotaev, V.S.Varavin, S.A.Dvoretsky, D.Marin, M.V.Yakushev, Z.Swiatek, J.Morgiel, O.Yu Bonchyk Electrical and microscopic characterization of p+-type layers formed in HgCdTe by arsenic implantation // Semiconductor Science and Technology. -2020 . PDF
[3] I.I.Izhnin, K.D.Mynbaev, Z.Swiatek, J.Morgiel, A.V.Voitsekhovskii, A.G.Korotaev, V.S.Varavin, S.A.Dvoretsky, D.V.Marin, M.V.Yakushev, O.I.Fitsych, O.Yu.Bonchyk, H.V.Savytskyy Direct comparison of the results of arsenic ion implantation in n– and p–type Hg0.8Cd0.2Te // Infrared Physics & Technology. -2020 . PDF
[4] I. I.Izhnin, O.I.Fitsych, A.V.Voitsekhovskii, A.G.Korotaev, K.D.Mynbaev, K.R.Kurbanov, V.S.Varavin, S.A.Dvoretskii, N.N.Mikhailov, V.G.Remesnik, M.V.Yakushev, O.Yu.Bonchyk, H.V.Savytskyy, Z.Świątek, J.Morgiel Localization and Nature of Radiation Donor Defects in the Arsenic Implanted Cdhgte Films Grown by MBE // Russian Physics Journal. -2020 . PDF
[5] I.A.Mohylyak, O.Yu.Bonchyk, S.A.Korniy, S.G.Kiyak, D.I.Popovych Laser Formation of Periodic Micro- and Nanostructureson the Surface of Monocrystalline Silicon // Physics and Chemistry of Solid State. -2020 –21, №2. -P.215-218. PDF
[6] I.I.Izhnin, K.D.Mynbaev, Z.Swiatek, J.Morgiel, A.V.Voitsekhovskii, A.G.Korotaev, V.S.Varavin, S.A.Dvoretskyb, D.V.Marin, M.V.Yakushev, O.I.Fitsych, O.Yu.Bonchyk, H.V.Savytskyy Direct comparison of the results of arsenic ion implantation in n– and p–type Hg0.8Cd0.2Te // Infrared Physics & Technology. -2020 –109. -P.103388. PDF
[7] O.Yu.Bonchyk, H.V.Savytskyy, I.I.Izhnin, K.D.Mynbaev, I.I.Syvorotka, A.G.Korotaev, A.V.Voitsekhovskii, O.I.Fitsych, V.S.Varavin, D.V.Marin, N.N.Mikhailov, M.V.Yakushev, Z.Swiatek, J.Morgiel, R.Jakiela Nano-size defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with transmission electron microscopy // Applied Nanoscience. -2020 . PDF
[8] A.G.Korotaev, I.I.Izhnin, K.D.Mynbaev, A.V.Voitsekhovskii, S.N.Nesmelov, S.M.Dzyadukh, O.I.Fitsych, V.S.Varavin, S.A.Dvoretsky, N.N.Mikhailov, M.V.Yakushev, O.Yu.Bonchyk, H.V.Savytskyy, Z.Swiatek, J.Morgiel Hall-effect studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing // Surface and Coatings Technology. -2020 . -P.In Print. PDF

2019

[9] Bonchyk O.Yu., Savytskyy H.V., Swiatek Z., Morgiel Y., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Fitsych O.I., Varavin V.S.,Dvoretsky S.A., Marin D.V.,Yakushev M.V. Nano-size defects in arsenic-implanted HgCdTe films: a HRTEM study // Applied Nanoscience. -2019 –9, №5. -P.725–730. PDF
[10] I.I.Izhnin, O.I.Fitsych, Z.Świątek, Y.Morgiel, O.Yu.Bonchyk, H.V.Savytskyy, K.D.Mynbaev, A.V.Voitsekhovskii, A.G.Korotaev, M.V.Yakushev, D.V.Marin, V.S.Varavin, S.A.Dvoretsky Effect of annealing on the structural properties of arsenic-implanted mercury cadmium // Opto-Electronics Review. -2019 –27, №1. -P.14-17. PDF
[11] I.I.Izhnin, K.D.Mynbaev, A.V.Voitsekhovsky, A.G.Korotaev, I.I.Syvorotka, O.I.Fitsych, V.S.Varavin, S.A.Dvoretsky, N.N.Mikhailov, V.G.Remesnik, M.V.Yakushev, Z.Swiatek, J.Morgiel, O.Yu.Bonchyk, H.V.Savytskyy Arsenic-ion implantation-induced defects in HgCdTe films studied with Hall-effect measurements and mobility spectrum analysis // Infrared Physics & Technology. -2019 –98. -P.230-235. PDF
[12] A.Voitsekhovskii, D.Grigoryev, A.Korotaev, A.Kokhanenko, K.Lozovoy, I.Izhnin, H.Savytskyy, O.Bonchyk, S.Dvoretsky, N.Mikhailov, V.Varavin, M.Vitalievich Influence of composition of Hg1-xCdxTe (x=0.22-0.57) epitaxial film on dynamics of accumulation and spatial distribution of electrically active radiation defects after boron implantation // Materials Research Express. -2019 –6, №7. -P.075912. PDF
[13] O.Yu.Bonchyk, H.V.Savytskyy, Z.Swiatek, Y.MorgielI, I.Izhnin, A.V.Voitsekhovskii, A.G.Korotaev, K.D.Mynbaev, O.I.Fitsych, V. S.Varavin, S.A.Dvoretsky, N.N.Mikhailov, M.V.Yakushev TEM studies of structural defects in HgTe/HgCdTe quantum wells // Applied Nanoscience. -2019 . -P.1-5. PDF
[14] D.Sugak, I.Syvorotka, U.Yakhnevych, O.Buryy, N.Levintant‐Zayonts, H.Savytskyy, O.Bonchyk, S.Ubizskii Comparative Investigations of Nanohardness and Impurity Distribution Profiles of Lithium Niobate Single Crystals Diffusion Doped by Copper Ions // Crystal Research and Technology. -2019 . -P.1900117(7). PDF

2018

[15] I.I.Izhnin, E.I.Fitsych, A.V.Voitsekhovskii, A.G.Korotaev, K.D.Mynbaev, V.S.Varavin, S.A.Dvoretsky, N.N.Mikhailov, M.V.Yakushev, A.Yu.Bonchyk, H.V.Savytskyy, Z.Świątek Defects in Arsenic Implanted р+–n- and n+–p- Structures Based on MBE Grown CdHgTe Films // Russian Physics Journal. -2018 –60, №10. -P.1752–1757. PDF

2017

[16] Izhnin I.I., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Bonchyk A.Yu., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Jakiela R. Optical and electrical studies of arsenic–implanted HgCdTe films grown with molecular beam epitaxy on GaAs and Si substrates // Infrared Physics & Technology. -2017 –81. -P.52-58. PDF
[17] Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Bonchyk O.Yu, Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Yakushev M.V., Jakiela R., Trzyna M. Properties of arsenic–implanted Hg1-xCdxTe MBE films // EPJ Web of Conferences. -2017 –133. -P.01001(4). PDF
[18] O.Yu. Bonchyk, S.G. Kiyak, I.A. Mohylyak, D.I. Popovych Peculiarities of morphology formation of silicon surface under the action of laser pulses // Physics and Chemistry of Solid State. -2017 –18, №3. -P.309-312. PDF
[19] И. Ижнин, Е. Фицыч, А. Войцеховский, А. Коротаев, К. Мынбаев, В. Варавин, С. Дворецкий, Н. Михайлов, М. Якушев, А. Бончик, Г. Савицкий, З. Свёнтек Дефекты в имплантированных мышьяком р+-n-и n+-p-структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ // Известия высших учебных заведений. -2017 –60, №10. -P.92-97. PDF
[20] Z. Świątek, H. Kazimierczak, P. Ozga, O. Bonchyk, H. Savytskyy Structural and Microstructural Analysis of Zn–Mo Alloy Layers Electrodeposited from Aqueous Citrate Solution // Metallofizika i Noveishie Tekhnologii. -2017 –39, №11. -P.1547-1556. PDF

2016

[21] Świątek Z., Yakushev M.V., Izhnin I.I., Ozga P., Mynbaev K.D., Varavin V. S., Marin D.V., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A., Voitsekhovski A.V., Savytskyy H.V., Bonchyk O.Yu. Electrical and optical studies of a tellurium-related defect in molecular-beam epitaxy–grown HgCdTe // Physica Status Solidi (С). -2016 –13, №7. -P.461-464. PDF
[22] D.V. Lyapunov, A.A. Pishchagin, D.V. Grigoryev, A.G. Korotaev, A.V. Voitsekhovskii, A.P. Kokhanenko, I.I. Iznin, H.V. Savytskyy, A.U. Bonchik, S.A. Dvoretskii, N.N. Mikhailov Effect of a boron implantation on the electrical properties of epitaxial HgCdTe with different material composition // Journal of Physics: Conference Series. -2016 –741, №1. -P.012097(5). PDF
[23] Świątek Z., Ozga P., Izhnin I.I., Fitsych E.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Bonchyk A.Yu., Savytsky H.V. Electrical and Optical Studies of Defect Structure of HgCdTe Films Grown by Molecular Beam Epitaxy // Russian Physics Journal. -2016 –59, №3. -P.442-445. PDF
[24] Fodchuk I.M., Gutsuliak I.I., Dovganiuk V.V., Kotsyubynskiy A.O., Pietsch U., Pashniak N.V., Bonchyk O.Yu., Syvorotka I.M., Lytvyn P.M. Magnetic and structural changes in the near-surface epitaxial Y2.95La0.05Fe5O12 film after high-dose ion implantation // Applied optics. -2016 –55, №12. -P.B144-B149. PDF
[25] Świątek Z., Vlasov A.Р., Ivashko M.V., Petryna R.L., Bonchyk A.Yu., Sokolovskii B.S. Barrier structures on the basis of graded-band-gap CdHgTe obtained by evaporation-condensation-diffusion method // Archives of Metallurgy and Materials. -2016 –61, №1. -P.115-122. PDF
[26] Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.C., Дворецкий С.А. , Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Свёнтек З., Озга П. Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок CdHgTe // Известия вузов. Физика. -2016 –59, №3. -P.110-113. PDF

2015

[27] Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Bonchyk A.Yu., Savytskyy H.V., Fitsych O.I. Long-term stability of electron concentration in HgCdTe-based p–n junctions fabricated with ion etching // Infrared Physics & Technology. -2015 –73, №11. -P.158-165. PDF
[28] Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., , Варавин В.C., Дворецкий С.А. , Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В. Долговременная стабильность CdHgTe n+-n –структур, сформированных ионным травлением // Известия Вузов. Физика. -2015 –58, №8. -P.222-226. PDF

2014

[29] Swiątek Z., Kazimierczak H., Ozga P., Bonchyk O., Savytskyy H., Michalec M. X-ray structural and microstructural analysis of electrolytic Zn-Mo layers studies and ab initio calculations // Фіз.- хім. механіка матеріалів. Спец.- випуск №10. Проблеми корозії та протикорозійного захисту матеріалів.. -2014 –10. -P.305-309.

2013

[30] Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Ижнин И.И., Савицкий Г.В., Бончик А.Ю. Исследование методом спектроскопии адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-хCdхTe после ионной имплантации // Изв. Вузов. Физика.. -2013 –56, №9. -P.85-88.
[31] Фодчук И.М., Гуцуляк И.И., Заплитный Р.А., Яремий И.В., Бончик А.Ю., Сыворотка И.И. Влияние высокодозного облучения ионами N+ на кристаллическую структуру Y2.95La0.05Fe5O12 // Металлофизика и новейшие технологии. -2013 –35, №7. -P.999-1010.
[32] Фодчук І.М., Заплітний Р.А., Гуцуляк І.І., Яремій І.П., Бончик О.Ю., Савицький Г.В., Томин У.О. Характеристика дефектної структури плівок Y2,95La0,05Fe5O12 після іонної імплантації // Фізика і хімія твердого тіла. -2013 –14, №3. -P.547-552. PDF
[33] Фодчук И.М., Довганюк В.В., Гуцуляк И.И., Яремий И.П., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Cыворотка И.М., Скакунова О.Г. Рентгеновская дифрактометрия структуры железоиттриевых гранатов легированных лантаном после ионной имплантации // Металлофизика и новейшие технологии. -2013 –35, №9. -P.1372-1383.
[34] Fodchuk І.M., Gutsuliak I.I., Zaplitniy R.A., Balovsyak S.V., Yaremiy І.P., Bonchyk О.Yu., Savitskiy G.V., Syvorotka І.M., Lytvyn P.M. Magnetic force microscopy of YLaFeO films implanted by high dose of nitrogen ions // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. -2013 –16, №3. -P.246-252. PDF

2012

[35] Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Ижнин И.И., Савицкий Г.В., Бончик А.Ю. Электрофизические характеристики МДП-структур на основе КРТ после ионной имплантации бора // Изв. Вузов. Физика. -2012 –55, №8. -P.136-137.
[36] Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Войцеховский А.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Варавин В.С., Мынбаев К.Д. Динамика электрических свойств конвертированных при ионной имплантации и ионном травлении n-слоев в р-CdxHg1-xTe // Изв. Вузов. Физика. -2012 –55, №8. -P.148-149.

2011

[37] Swiatek Z., Michalec M., Levintant-Zayonts N., Bonarski J., Budziak A., Bonchyk O., Savitskij G. Structural evolution of near-surface layers in NiTi alloy caused by an ion implantation // Acta physica polonica (A). -2011 –120, №1. -P.75–78. PDF

2010

[38] Z.Swiatek, N.Levintant-Zayonts, M.Michalec, T.Czeppe, M.Lipinski, O.Bonchyk, G.Savitskij Creation of wear-resistant near-surface-layers with inhomogeneous structure on NiTi alloy by ion implantation technology // Physics Procedia. -2010 –10. -P.69-76.

Conference:

  • D.Yu.Sugak, I.I.Syvorotka, O.A.Buryy, U.V.Yakhnevych, N.Levintant-Zayonts, H.V.Savytskyy, O.Yu.Bonchyk The nanoindentation of Cu diffusion layers in LiNbO3 crystal // 7th International Conference "Nanotechnologies and Nanomaterials" NANO-2019 (Lviv, Ukraine, 27 - 30 August, 2019). -2019. -P.463.
  • O.Yu.Bonchyk, H.V.Savytskyy, I.I.Izhnin, K.D.Mynbaev, A.G.Korotaev, A.V.Voitsekhovskii, O.I. Fitsych, V.S.Varavin, S.A.Dvoretsky, N.N.Mikhailov, M.V.Yakushev, Y. Morgiel, Z.Swiatek Nanosize defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with TEM // 7th International Conference "Nanotechnologies and Nanomaterials" NANO-2019 (Lviv, Ukraine, 27 - 30 August, 2019). -2019. -P.493.
  • Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Котораев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Ozga P., Świątek Z. Дефектная структура имплантированных As МЛЭ пленок CdHgTe // ХХIV Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, Россия, 24-27 мая, 2016). -2016. -P.80-82.
  • Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Котораев А.Г., Коханенко А.П., Ижнин И.И., Савицкий Г.В., Бончик А.Ю., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации бора в эпитаксиальные пленки Hg1-хCdхTe различного состава // ХХIV Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, Россия, 24-27 мая, 2016). -2016. -P.419-420.
  • Fitsych O.I., Izhnin I.I., Voitsekhovski A.V., Korotaev A.G., Bonchyk O.Yu., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Świątek Z., Ozga P. Properties of arsenic–implanted CdxHg1-xTe MBE structures // 7th International Scientific and Technical Conference “Sensors Electronics and Microsystem Technologies” (SEMST-7) (Odessa, Ukraine, May 30 - June 3, 2016). -2016. -P.129.
  • Izhnin I.I., Voitsekhovskiі A.V., Korotaev A.G., Fitsych О.I., Bonchyk O.Yu., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Jakiela R., Trzyna M. Properties of arsenic–implanted CdxHg1-xTe MBE films // International Conference on Semiconductor Nanostructures for Optoelectronics and Biosensors (IC SeNOB 2016) (Rzeszow, Poland, May 22-25, 2016). -2016. -P.82.
  • Izhnin I.I., Voitsekhovskiі A.V., Korotaev A.G., Fitsych О.I., Bonchyk O.Yu., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Jakiela R., Levintant-Zayonts N. Electrical and optical properties of arsenic–implanted CdxHg1-xTe MBE films // XI-th International Conference Ion Implantation and Others Applications of Ions and Electrons (Ion-2016) (Kazimierz Dolny, Poland, June 13-16, 2016). -2016. -P.72.
  • Фіцич О.І., Іжнін І.І., Войцеховський О.В., Коротаєв О.Г., Варавін В.С., Дворецький С.О., Михайлов М.М., Якушев М.В., Бончик О.Ю., Савицький Г.В., Jakiela R., Минбаєв К.Д. Особливості імплантації As в МПЕ плівках CdхHg1-хTe // VІІ Українська наукова конференція з фізики напівпровідників УНКФН-7 (Дніпро, Україна, 26–30 вересня, 2016). -2016. -P.332-333.
  • Bonchyk O.Yu., Mohylyak I.A., Savytskyy H.V., Fitsych O.I., Voitsekhovsky A.V., Izhnin I.I. Comparison of Background Donor Concentration in HgCdTe Grown with Different Technologies // ХV International Conference on Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems (Ivanо-Frankivsk, Ukraine, 11-16 May, 2015). -Book of abstracts. Ivano-Frankivsk: Vasyl Sterfanyk Precarpathian National Universuty. -2015. -P.258. Link
  • Fodchuk I.M., Dovganiuk V.V., Gutsuliak I.I., Lytvyn P.M., Safryuk N.V., Kladko V.P., Syvorotka І.M., Bonchyk O.Yu., Kotsyubynsky A.O. Dependence of Yttrium Iron Garnets Magnetic Domain Structure on Structural Parameters // ХV International Conference on Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems (Ivanо-Frankivsk, Ukraine, 11-16 May, 2015). -Book of abstracts. Ivano-Frankivsk: Vasyl Sterfanyk Precarpathian National Universuty. -2015. -P.265. Link
  • Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Фицыч Е.И., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Мынбаев К.Д., Варавин В.C., Дворецкий С.А. , Михайлов Н.Н., Якушев М.В. Долговременная стабильность р-n –переходов в МЛЭ гетероструктурах CdхHg1-хTe, сформированных ионным травлением // VIII Meждународная Нayчная Koнференция «Функциональная база наноэлектроники» (Xapьков – Одесса, Украина, 28 сентября – 02 октября, 2015). -Сборник научных трудов. -2015. -P.171-175.
  • Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Варавин В.C., Дворецкий С.А. , Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Мынбаев К.Д. Релаксация и долговременная стабильность МЛЭ CdHgTe n+-n –структур, сформированных ионным травлением // Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника-2015» (Новосибирск, Россия, 12-16 октября, 2015). -Тезисы докладов. -2015. -P.42.
  • Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.C., Дворецкий С.А. , Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Świątek Z., Ozga P. Электрофизические и оптические исследования нейтральных дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg1-xTe // XII Российская конференция по физике полупроводников (Ершово (Москва), Россия, 21–25 сентября, 2015). -Тезисы докладов. -2015. -P.333.
  • Yakushev M.V., Izhnin I.I., Świątek Z., Ozga P., Mynbaev K.D., Varavin V. S., Marin D.V., Mikhailov N. N., Dvoretsky S.A., Voitsekhovski A.V., Savytskyy H.V., Bonchyk O.Yu. Electrical and optical studies of a tellurium-related defect in molecular-beam epitaxy–grown HgCdTe // 17th International Conference on II-VI Compounds and Related Marerials (Paris, France, 13-18 September , 2015). -Conference Book. -2015. -P.281.
  • I. Fodchuk, I. Gutsuliak, R. Zaplitnyy, V. Dovganiuk, I. Yaremiy, A. Bonchyk The peculiarities of influence of high-dose irradiation by N+ ions on the Y2.95La0.05Fe5O12 crystal structure // XIV Міжнародна конференція з фізики і технології тонких плівок і наноструктур (, 20-25 травня, 2013). -Тези доповідей. – Т.1.. -2013. -P.208.
  • I.M. Fodchuk, I.I. Gutsuliak, R.A. Zaplitnyy, V.V. Dovganiuk, I.V. Yaremiy, A.Yu. Bonchyk Structural violations in Y2.95La0.05Fe5O12 // The 11th International Conference „Correlation Optics” (Chernivtsi, Ukraine, 18-21 September, 2013). -2013.
  • И.М. Фодчук, И.И. Гуцуляк, Р.А. Заплитный, В.В.Довганюк, И.П. Яремий,А.Ю. Бончик, Г.В. Савицкий, И.М. Сыворотка Влияние высокодозовой ионной имплантации на структуру и магнитные свойства YLaFeO // 6-та Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (УНКФН-6) (Чернівці, Україна, 30 вересня – 4 жовтня, 2013). -2013. -P.59-60.
  • Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Бончик А.Ю., Савицький Г.В., Войцеховский А.В., Дворецкий С. А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Варавин В.С., Мынбаев К.Д. Релаксация электрических параметров n-слоев в МЛЭ эпитаксиальных пленках р-CdxHg1-xTe, сформированных ионной имплантацией и ионным травлением // ХХII Международная научно-техническая конференция, школа молодых специалистов и выставка по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, Россия, 22-25 мая, 2012). -Труды конференции. -2012. -P.206-208.
  • Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Войцеховский А.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Варавин В.С., Мынбаев К.Д. Релаксация дефектной структуры эпитаксиальных пленок CdHgTe, подвергнутых обработке низко- и высокоэнергетическими ионами // IV Всероссийская конференция «Физические и физико-химические основы ионной имплантации» (Новосибирск, Россия, 23-26 октября, 2012). -Тезисы. -2012. -P.28.
  • Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Войцеховский А.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Варавин В.С., Мынбаев К.Д. Динамика электрических свойств в конвертированных при ионной имплантации и ионном травлении n-слоев в p-CdxHg1-xTe // Международная научно-практическая конференция «Актуальные проблемы радиофизики АПР-2012» (Томск, Россия, 1-7 октября, 2012). -Тезисы. -2012.
  • Войцеховский А.В., Бончик А.Ю., Григорьев Д.В., Ижнин И.И., Коротаев А.Г., Коханенко А.П., Савицкий Г.В. Особенности процессов радиационного дефектообразования в эпитаксиальных пленках Hg1-xCdxTe различного состава при ионной имплантации и ионном травлении // Международная научно-практическая конференция «Актуальные проблемы радиофизики АПР-2012» (Томск, Россия, 1-7 октября, 2012). -Тезисы. -2012.
  • Войцеховский А.В., Бончик А.Ю., Григорьев Д.В., Ижнин И.И., Коротаев А.Г., Коханенко А.П., Савицкий Г.В. Ионная имплантация КРТ различного состава, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Международная научно-практическая конференция «Актуальные проблемы радиофизики АПР-2012» (Томск, Россия, 1-7 октября, 2012). -Тезисы. -2012.
  • U. Pietsch, A. Davydok, A. Biermanns, N. Pashniak, I. Fodchuk, S. Balovsyak, R. Zaplitnyy, I. Gutsuliak, A. Bonchyk, G. Savitskiy, I. Vivorotka, I. Yaremiy Structural changes in Y2.95La0.05Fe5O12 epitaxial films afterhigh-doze nitrogen ions implantation // 11th Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging (St.Petersburg, Russia, 15-20 September, 2012). -Book of abstracts. -2012. -P.374.
  • Z.Swiatek, N.Levintant-Zayonts, M.Michalec, T.Czeppe, M.Lipinski, O.Bonchyk, G.Savitskij Creation of wear-resistant near-surface-layers with inhomogeneous structure on NiTi alloy by ion implantation technology // E-MRS 2010 Spring Meeting (Strasbourg, France, June 7-11, 2010). -2010. -P.15.
  • Z. Swiatek;¤, M. Michalec, N. Levintant-Zayonts, J. Bonarski, A. Budziak, O. Bonchyk, G. Savitskij Structural evolution of near-surface layers in NiTi alloy caused by an ion implantation // ION 2010 (Kazimierz Dolny, Poland, June 14-17, 2010). -2010. -P.87.
  • N.Pashniak, I.Fodchuk, A. Davydok, A. Biermanns, U. Pietsch, S. Balovsyak, R. Zaplitniy, O.Bonchyk, G. Savitskiy, I. Vivorotka, I. Yaremiy High-dose implantation of Y2,95La0,05Fe5012 epitaxal films by nitrogen ions // 10th Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging (, 20-23 September, 2010). -2010. -P.142.
  • Савицкий Г.В., Костишин В.Г., Читанов Д.Н., Бончик А.Ю. Автоматизированная установка термоактивационной токовой спектроскопии // V Всероссийская конференция Физико-химические процессы в конденсированных средах и на межфазных границах (Воронеж, Россия, 3-8 октября, 2010). -Т.1. -2010. -P.170-173.
  • Савицкий Г.В., Костишин В.Г., Читанов Д.Н., Бончик А.Ю. Автоматизированная установка термоактивационой токовой спектроскопии для исследования электрически активных дефектов в диэлектрических оксидных пленках // Х Юбилейная международная научная конференция Химия твердого тела: наноматериалы, нанотехнологии (Ставрополь, Россия, 17-22 октября, 2010). -2010. -P.194-196.
  • Bonchyk O., Vlasov A., Kiyak S., Levintant-Zayonts N., Siatek Z., Fodchuk I. The application of ion implantation as efficient source of impurity for HgCdTe epitaxial structures // VII-th international conference “Ion implantation and other applications of ions and electrons” Ion2008 (Kazimierz Dolny, Poland, , 2008). -June 16-19. -2008.
  • Каземирский Т.А., Литвинчук Т.В. Заплітний Р.А., Фодчук И.М., Бончик А.Ю., Власов А.П. Влияние кристаллической ориентации положки на структурне и электрофизические свойства эпитаксиальных слоев CdХHg1–ХТе/CdТе // ХІ між­народна конференція з фізики і технології тонких плівок та наносистем (Івано-Франківськ, Україна, 12-18 травня, 2007). -Матеріали конференції. Т.2. -2007. -P.87-88.
  • Vlasov A., Bonchyk O., Kiyak S., Fodchuk I., Zaplitnyy R., T. Kazemyrskii, Barcz A., Zieba P., Swiatek Z. Reconstruction of lattice structure of ion-implanted near-surface regions of HgCdTe epitaxial layers // E-MRS Fall Meeting 2007, Symposium H: Current trends in optical and X-ray metrology of advanced materials and devices II (Warsaw, Poland, September 17-21, 2007). -Abstracts. -2007.
  • Власов А.П., Сторчун О.П., Бончик О.Ю., С.Г.Кияк С.Г, Г.В. Савицький Г.В., Свьонтек З. Особливості кристалічної структури варізонних шарів CdHgTe // ІІІ-я Українська наукова конференція з фізики напівпровідників / Тези доповідей.- УНКФН-3, Одеса, 2007-С. 187. (Одеса, 17-22 червня, 2007). -Тези доповідей.- УНКФН-3. -2007. -P.187.
  • Заплитний Р.А., Каземирский Т.А., Фодчук И.М., Бончик О.Ю., Власов А.П. Изменения в дефектной структуре эпитаксиальных слоев Hg1-xCdxTe после имплантации ионами As // ІІІ-а Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (Одеса, 17-22 червня, 2007). -Тези доповідей.- УНКФН-3, Одеса. -2007. -P.452.
  • Заплитный Р.А., Каземирский Т.А., Фодчук И.М., Бончик А.Ю., Власов А.П. Влияние двукратной имплантации ионов As на структурные свойства эпиаксиальних слоев Hg1-xCdxTe // VI Национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (Москва, , 2007). -2007.
  • Vlasov A., Bonchyk O., Fodchuk I., Zaplitnyy R., Barcz A., Swiatek Z., Litynska-Dobrzynska L., Zieba P., Bielanska E. and Guspiel J. The role of radiation defects in HgCdTe epitaxial growth // E-MRS Fall Meeting 2006, Symposium F: Wide Band Gap II-VI Semiconductors: Growth, Characterization and Applications (Warsaw, Poland, September 4-8, 2006). -Abstracts. -2006. -P.164.
  • R.Zaplitnyy, T.A.Kazemirskiy, I.Fodchuk, Z.Swiatek, A.Vlasov, O.Bonchyk Ion implantation of CdHgTe epitaxial structures by As // 8th Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging Х-ТОР2006 (Congress Center Pruhonice near Baden-Baden (Germany), , 2006). -2006. -P.98.
  • Zaplitnyy R.A., Fodchuk I.M., Kazemirskiy T.A., Vlasov A.P., Bonchyk O.Yu. Influence of ion implantation on the structural changes in graded band-gap-epitaxial layers CdxHg1–xТе // Ion 2006 (Kazimierz Dolny, Poland, , 2006). -2006. -P.151.
  • Власов А.П., Бончик О.Ю, Сторчун О.П., Кияк С.Г. Особливості газо- та твердофазного легування арсеном шарів CdHgTe в процесі ВКД епітаксії // V міжнародна школа-конференція ”Актуальні проблеми фізики напівпровідників” (Дрогобич, Україна, 27-30 червня, 2005). -Тези доповідей. -2005. -P.176.
  • Заплитный Р.А., Фодчук И.М., Власов А.П., Бончик А.Ю. Состояние поверхности моно­кристаллов CdTe после имплантации ионов As // Х міжнародна конференція з фізики і технології тонких плівок (Івано-Франківськ, Україна, 17-20 травня, 2005). -Матеріали конференції. -2005. -P.186.
  • Заплітний Р.А., Фодчук І.М., Власов А.П., Бончик О.Ю. Вплив двократної іонної імплантації на структурні зміни в варізонних епітаксійних шарах CdxHg1–xТе // Х між­народна конференція з фізики і технології тонких плівок (Івано-Франківськ, Україна, 16-21 травня, 2005). -Матеріали конференції. Т.1. -2005. -P.185.
  • Р.А Заплитный, И.М. Фодчук, А.П. Власов, А.Ю. Бончик Структурные изменения в варизонных эпитаксиальных слоях CdHgTe после имплантации ионов As // V национальная конференция по применению рентгеновского синхротронного излучения нейтронов и электронов для исследования материалов (Москва, Россия, , 2005). -2005. -P.59.
  • Zaplitnyy R.A., Vlasov A.P., Bonchyk O.Yu. Influence of ion implantation on the structural changes ingraded bang-gap epitaxial layers CdHgTe // The 7-th International Conference Correlation Optics 2005 (Chernivtsi, Ukraine, , 2005). -2005. -P.143.
  • Власов А.П., Сторчун О.П., Бончик О.Ю., Фодчук І.М., Заплітний Р.А., Барч А., Свьонтек З. Твердофазне легування елементами V групи періодичної таблиці епітаксійних шарів CdxHg1-xTe // Мат. ІІ укр. наук. конф. з фізики напівпровідників (Чернівці-Вижниця, , 2004). -2004. -P.91.
  • Вірт І.С., Бончик О.Ю., Попович В.Д., Курило І.В., Рудий І.О. Властивості поверхонь кристалів CdHgTe i CdTe опромінених іонами В+, As+ // Мат. ІІ укр. наук. конф. з фізики напівпровідників (Чернівці-Вижниця, , 2004). -2004. -P.347.
  • Заплитный Р.А., Власов А.П., Бончик О.Ю., Фодчук И.М. Структурные изменения в варизонных эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe после ионного легирования As // Мат. ІІ укр. наук. конф. з фізики напівпровідників (Чернівці-Вижниця, , 2004). -2004. -P.417.
  • Власов А.П., Писаревский В.К., Сторчун О.П., Бончик А.Ю., Барч А. Твердофазне легування сурмою епітаксійних шарів CdxHg1-xTe // IX міжнародна конференція “Фізика і технологія тонких плівок” (Ів-Франківськ, Україна, , 2003). -Т.1. -2003.
  • Власов А.П., Бончик А.Ю., Заплитный Р., Фодчук И. Рентгенодифракцион-ные исследования структурного совершенства подложек CdTe и систем CdHgTe/CdTe // IX міжнародна конференція “Фізика і технологія тонких плівок” (Ів-Франківськ, Україна, , 2003). -Т.1. -2003.
  • Vlasov A.P., Bonchyk A.Yu., Barcz A. High temperature (T=450-600oC) arsenic doping of CdHgTe epitaxial layers // International conference on solid state crystals (Zakopane, Poland, , 2002). -2002. -P.128.
  • Vlasov A.P., Storchun O.P., Bonchyk O.Yu., Fodchuk I.M. Struktural Singularities of arsenic ion doping in graded-band-gap CdHgTe epitaksial layers // Symposium G: Solid Solutions of the II-VI compaunds-Growth, Characterization and Applications (Zakopane, Poland, , 2002). -2002.
  • Bonchyk O.Yu., Savitsky G.V., Levintant N., Starzynski G. Computer system of the diagnostic of implantation process // IV international symposium “Ion implantation and other application of ions and electrons (Kazimierz Dolny, Poland, , 2002). -2002.
  • Vlasov A., Pysarevsky V., Storchun O., Shevchenko A., Bonchyk A., Pokhmurska H., Barcz A., Swiatek Z. Controlled arsenic diffusion in epitaksial CdxHg1-xTe layers in the evaporation-condensation-diffusin process // Thin Solid Films.-403-404 (, , 2002). -2002. -P.144-147.
  • Bonchic O.Yu., Kiyak S.G., Gotra Z.Yu., Lopatynsky I., Proszak W., Savitsky G.V. Surface modification of semiconductors under the action of laser radiation // Proceedings XXIV International conference IMAPS (Poland, , 2000). -2000. -P.287-290.
  • Bonchic O.Yu., Kiyak S.G., Gotra Z.Yu., Lopatynsky I., Pokhmurska A.V. Laser methods of dopant implantation in monolith technology // Proceedings 4-th International Sympozium on Microelectronic Technologies and Microsystems (Germany (Zwickau), , 2000). -2000. -P.132-137.
  • Bonchic O.Yu., Kiyak S.G., Gotra Z.Yu., Proszak W. Technologia laserowa do wytwarzenia submicronowych warstw domszkowanych w polprzewodnikach // VII Konferencja naukowa “Technologia electronowa” (ELTE 2000) (Polanica Zdroj, Poland, , 2000). -F69. -2000.
  • Bonchic O.Yu., Kiyak S.G., Gotra Z.Yu., Proszak W. Wielowarstwowe wieloskladnikowe stryktury polprewodnikowe dla microelectroniki tworzone z wykorzystaniem lasera i technologii cienkich warstw // VII Konferencja naukowa “Technologia electronowa” (ELTE 2000) (Polanica Zdroj, Poland, , 2000). -ME41. -2000.
  • Бончик О.Ю., Готра З.Ю., Кияк С.Г., Похмурська Г.В., Савицький Г.В. Фундаментальні і прикладні аспекти взаємодії потужного лазерного випромінювання з напівпровідниками // International Conference on Optoelektronic Information Technologies (Vinnytsia, Ukraine, , 2000). -2000. -P.16-17.
  • Бончик О.Ю., Кияк С.Г., Паливода І.П., Похмурська Г.В., Савицький Г.В. Фундаментальні аспекти взаємодії потужних світлових потоків з напівпровідниками (фізика, технологія, застосування, перспектива) // Матеріали 2-го міжнародного Смакулового симпозіуму (Тернопіль, , 2000). -2000. -P.130-131.
  • Proszak W., Bonchic O.Yu., Kiyak S.G., Gotra Z.Yu. CO2 laser doping of Si with use of B2O3 // International Conference “Systems of optical Security” (Warsaw, Poland, , 2000). -2000. -P.27.
  • Власов А.П., Бончик А.Ю., Ижнин И.И., Барч А. Создание примесно легированных n-р структур CdHgTe // XIХ Межд. научно-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, 23-26 мая, ). -Тез. докл.. -. -P.110-111.