Авторські свідоцтва і патенти на винаходи
- Р.В.Бовгира, В.М.Жировецький, Д.І.Попович, Савка С.С., А.С.Середницький. Спосiб розпізнавання газів // Пат.112955. Україна, МПК (2016.01) G01N 30/36. №u201605475 заявл. 20.05.2016 р. опубл.10.01.2017, Бюл. №1.
- Похмурський В.І., Студент М.М., Похмурська Г.В., Дзьоба Ю.В., Ступницький Т.Р., Гвоздецький В.М. Порошковий дріт для напилення електродугових зносостійких та корозійностійких покриттів // Патент України № 84002 С23С 4/00, Бюл. № 19, 2013 р.
- Похмурський В.І., Студент М.М., Похмурська Г.В. Порошковий дріт для одержання дисперсно-зміцнених електродугових покриттів // Патент України, №40722, МПК С23С 4/00. Опубл. бюл. – 2009. - №8.
- Р. Лесюк, Я.Бобицький, В.Їллек. Спосіб формування топологічного рисунку електричної плати. Патент України №50474. МПК H05K 3/12, H05K 3/46. 10.06.2010. Бюл.№11
- Студент М.М., Похмурська Г.В., Сірак Я.Я, Гвоздецький В.М. Порошковий дріт для одержання дисперсно-зміцнених електродугових покриттів // Патент України №40723, МПК С23С 4/00. Опубл. бюл. – 2009. - №8.
- Б.К.Котлярчук, Д.І.Попович, А.С.Середницький. Спосіб реєстрації газів з допомогою люмінесценції нанопорошкових окисних матеріалів. // Патент України №8371 від 15.08.2005р. Бюл. №8.
- Б.К.Котлярчук, Д.І.Попович, А.С.Середницький, В.М.Жировецький, М.І.Мойса. Спосiб одержання нанопорошкових матеріалів і структур на їх основі. // Патент України №11169 від 15.12.2005р. Бюл. №12.
- И.М.Будзуляк, М.В.Беркещук, Д.І.Попович, Б.К.Остафійчук. Суперконденсатор. // Патент України №12368 від 22.12.2005р. Бюл. №12.
- Б.К.Котлярчук, Д.І.Попович, А.С.Середницький. Спосіб одержання тонких шарів напівпровідникових нітридних матеріалів // Патент України №2002129919 від 10.12.2002.
- Б.К.Котлярчук, Д.І.Попович, В.К.Савчук. Спосіб одержання епітаксійних плівок високотемпературних надпровідних металооксидів // Патент України №99105439 від 15.08.2001. Бюл. №7.
- Кияк С.Г., Осипов В.В., Пляцко Г.В., Хряпов В.Т. Способ очистки поверхности диэлектрических покрытий на полупроводниковых пластинах. Авт. св. СССР №1829764, 1992.
- Бончик А.Ю., Кияк С.Г., Маненков А.А., Михайлова Г.Н., Пляцко Г.В., Похмурская А.В., Сеферов А.С. Способ твердофазного легирования полупроводниковых пластин. Авт. св. СССР, №1545846, 1987.
- Кияк С.Г., Крэчун В., Маненков А.А., Михаилеску И., Михайлова Г.Н., Пляцко Г.В., Прохоров А.М., Урсу И. Способ легирования полупроводниковых пластин. Авт. св. СССР, №1494808, 1986.
- Бончик А.Ю., Гафийчук В.В., Кияк С.Г., Пляцко Г.В., Савицкий Г.В. Способ определния кристаллографической ориентации плоскостей монокристаллов кремния и германия. Авт. св. СССР, №1338719, 1985.
- Кияк С.Г., Савицкий Г.В., Шухостанов А.К., Гонов С.Ж., Пляцко Г.В., Котлярчук Б.К., Гафийчук В.В. Способ обработки полупроводниковых пластин. Авт. св. СССР, №1220510, 1984.
- Гафийчук В.В., Котлярчук Б.К., Кияк С.Г., Нарольский А.Ф., Пляцко Г.В. Способ термической обработки полупроводниковых материалов. Авт. св. СССР, №1187637, 1983.
- Гафийчук В.В., Загиней А.А., Кияк С.Г., Котлярчук Б.К., Пляцко Г.В., Савицкий Г.В. Способ лучевой обработки полупроводниковых материалов на основе СdхHg1-хTe (x<0,25). Авт. св. СССР №1162342, 1983.
- Котлярчук Б.К., Кияк С.Г., Пляцко Г.В., Загиней А.А., Попович Д.И. Способ изготовления p-n переходов. Авт. св. СССР №1097129, 1982.
- Кияк С.Г., Паливода И.П., Савицкий Г.В., Пляцко Г.В., Мойса М.И. Способ изготовления гетеропереходов. Авт. св. СССР №1139317, 1982.
- Кияк С.Г., Семизоров А.Ф., Котлярчук Б.К., Пляцко Г.В., Паливода И.П. Способ изготовления p-n переходов в собственно-дефектных полупроводниковых материалах. Авт. св. СССР, №1037790, 1981.
- Кияк С.Г., Либенсон М.Н., Пляцко Г.В., Чельный А.А. Способ изготовления p-n переходов в легированных полупроводниковых материалах. Авт. св. СССР №1042523, 1981.
- Кияк С.Г., Раренко И.М., Пляцко Г.В., Василькова В.В., Семизоров А.Ф., Способ локального легирования полупроводниковых пластин. Авт. св. СССР №1029790, 1981.
- Кияк С.Г., Мойса М.И., Пляцко Г.В., Семизоров А.Ф. Способ изготовления p-n переходов в полупроводниковых материалах с примесной проводимостью. Авт. св. СССР №762635, 1979.
- Дружинин А.А., Кияк С.Г., Котлярчук Б.К., Луцив Р.В., Пляцко Г.В., Савицкий В.Г., Товстюк К.Д. Способ изготовления p-n переходов в собственно – дефектных полупроводниковых материалах. Авт. св. СССР №577850, 1976.
- Товстюк К.Д., Пляцко Г.В., Орлецкий В.Б., Кияк С.Г. Способ изготовления p-n переходов. Авт. св. СССР №555761, 1975.