Savitskij Grygoriy Volodymyrovych

Савицький Г.В.Освіта: Львівський державний університет iмені Івана Франка (спеціальність - радіофізика і електроніка, 1977 р.)

Науковий ступінь: кандидат фізико-математичних наук (01.04.10 - фізика твердого тіла, 1985 р.)

Вчене звання: старший науковий співробітник

Посада за основним місцем роботи: старший науковий співробітник

Область наукових інтересів:

Наукові досягнення:

Телефон службовий: (032) 258-51-39

E-mail: surface@iapmm.lviv.ua

 

 

Publication:

2022

[1] I.Izhnin, A.V.Voitsekhovskii, A.G.Korotaev, K.D.Mynbaev, Z.Swiatek, J.Morgiel, O.I.Fitsych, V.S.Varavin, D.V.Marin, M.V.Yakushev, O.Yu.Bonchyk, H.V.Savytskyy Nano-scale structural studies of defects in arsenic-implanted n and p-type HgCdTe films // Applied Nanoscience. -2022 –12. -P.395–401. PDF
[2] Syvorotka I. I., Sugak D., Yakhnevych U., Buryy O., Włodarczyk D., Pieniążek A., Zhydachevskyy Y., Levintant-Zayonts N., Savytskyy H., Bonchyk O., Ubizskii S., Suchocki A. Investigation of the Interface of Y3Fe5O12/Gd3Ga5O12 Structure Obtained by the Liquid Phase Epitaxy // Crystal Research and Technology. -2022 . -P.2100180. PDF
[3] I.Syvorotka, H.Savytskyy, S.Ubizskii, A.Prabhakar Growth and Properties of Sub-Micrometer Thin YIG-Based LPE Films Using Different Fluxes // Acta Physica Polonica A. -2022 –141, №4. -P.261-267. PDF

2020

[4] O.Yu.Bonchyk, H.V.Savytskyy, I.I.Izhnin, K.D.Mynbaev, I.I.Syvorotka, A.G.Korotaev, A.V.Voitsekhovskii, O.I.Fitsych, V.S.Varavin, D.V.Marin, N.N.Mikhailov, M.V.Yakushev, Z.Swiatek, J.Morgiel, R.Jakiela Nano-size defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with transmission electron microscopy // Applied Nanoscience. -2020 –10. -P.4971–4976. PDF
[5] A.G.Korotaev, I.I.Izhnin, K.D.Mynbaev, A.V.Voitsekhovskii, S.N.Nesmelov, S.M.Dzyadukh, O.I.Fitsych, V.S.Varavin, S.A.Dvoretsky, N.N.Mikhailov, M.V.Yakushev, O.Yu.Bonchyk, H.V.Savytskyy, Z.Swiatek, J.Morgiel Hall-effect studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing // Surface and Coatings Technology. -2020 . -P.In Print. PDF
[6] I.I.Izhnin, K.D.Mynbaev, Z.Swiatek, J.Morgiel, A.V.Voitsekhovskii, A.G.Korotaev, V.S.Varavin, S.A.Dvoretsky, D.V.Marin, M.V.Yakushev, O.I.Fitsych, O.Yu.Bonchyk, H.V.Savytskyy Direct comparison of the results of arsenic ion implantation in n– and p–type Hg0.8Cd0.2Te // Infrared Physics & Technology. -2020 . PDF
[7] I. I.Izhnin, O.I.Fitsych, A.V.Voitsekhovskii, A.G.Korotaev, K.D.Mynbaev, K.R.Kurbanov, V.S.Varavin, S.A.Dvoretskii, N.N.Mikhailov, V.G.Remesnik, M.V.Yakushev, O.Yu.Bonchyk, H.V.Savytskyy, Z.Świątek, J.Morgiel Localization and Nature of Radiation Donor Defects in the Arsenic Implanted Cdhgte Films Grown by MBE // Russian Physics Journal. -2020 . PDF
[8] I.I.Izhnin, K.D.Mynbaev, Z.Swiatek, J.Morgiel, A.V.Voitsekhovskii, A.G.Korotaev, V.S.Varavin, S.A.Dvoretskyb, D.V.Marin, M.V.Yakushev, O.I.Fitsych, O.Yu.Bonchyk, H.V.Savytskyy Direct comparison of the results of arsenic ion implantation in n– and p–type Hg0.8Cd0.2Te // Infrared Physics & Technology. -2020 –109. -P.103388. PDF

2019

[9] A.Voitsekhovskii, D.Grigoryev, A.Korotaev, A.Kokhanenko, K.Lozovoy, I.Izhnin, H.Savytskyy, O.Bonchyk, S.Dvoretsky, N.Mikhailov, V.Varavin, M.Vitalievich Influence of composition of Hg1-xCdxTe (x=0.22-0.57) epitaxial film on dynamics of accumulation and spatial distribution of electrically active radiation defects after boron implantation // Materials Research Express. -2019 –6, №7. -P.075912. PDF
[10] O.Yu.Bonchyk, H.V.Savytskyy, Z.Swiatek, Y.MorgielI, I.Izhnin, A.V.Voitsekhovskii, A.G.Korotaev, K.D.Mynbaev, O.I.Fitsych, V. S.Varavin, S.A.Dvoretsky, N.N.Mikhailov, M.V.Yakushev TEM studies of structural defects in HgTe/HgCdTe quantum wells // Applied Nanoscience. -2019 . -P.1-5. PDF
[11] D.Sugak, I.Syvorotka, U.Yakhnevych, O.Buryy, N.Levintant‐Zayonts, H.Savytskyy, O.Bonchyk, S.Ubizskii Comparative Investigations of Nanohardness and Impurity Distribution Profiles of Lithium Niobate Single Crystals Diffusion Doped by Copper Ions // Crystal Research and Technology. -2019 . -P.1900117(7). PDF
[12] Bonchyk O.Yu., Savytskyy H.V., Swiatek Z., Morgiel Y., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Fitsych O.I., Varavin V.S.,Dvoretsky S.A., Marin D.V.,Yakushev M.V. Nano-size defects in arsenic-implanted HgCdTe films: a HRTEM study // Applied Nanoscience. -2019 –9, №5. -P.725–730. PDF
[13] I.I.Izhnin, O.I.Fitsych, Z.Świątek, Y.Morgiel, O.Yu.Bonchyk, H.V.Savytskyy, K.D.Mynbaev, A.V.Voitsekhovskii, A.G.Korotaev, M.V.Yakushev, D.V.Marin, V.S.Varavin, S.A.Dvoretsky Effect of annealing on the structural properties of arsenic-implanted mercury cadmium // Opto-Electronics Review. -2019 –27, №1. -P.14-17. PDF
[14] I.I.Izhnin, K.D.Mynbaev, A.V.Voitsekhovsky, A.G.Korotaev, I.I.Syvorotka, O.I.Fitsych, V.S.Varavin, S.A.Dvoretsky, N.N.Mikhailov, V.G.Remesnik, M.V.Yakushev, Z.Swiatek, J.Morgiel, O.Yu.Bonchyk, H.V.Savytskyy Arsenic-ion implantation-induced defects in HgCdTe films studied with Hall-effect measurements and mobility spectrum analysis // Infrared Physics & Technology. -2019 –98. -P.230-235. PDF

2018

[15] I.I.Izhnin, E.I.Fitsych, A.V.Voitsekhovskii, A.G.Korotaev, K.D.Mynbaev, V.S.Varavin, S.A.Dvoretsky, N.N.Mikhailov, M.V.Yakushev, A.Yu.Bonchyk, H.V.Savytskyy, Z.Świątek Defects in Arsenic Implanted р+–n- and n+–p- Structures Based on MBE Grown CdHgTe Films // Russian Physics Journal. -2018 –60, №10. -P.1752–1757. PDF

2017

[16] Izhnin I.I., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Bonchyk A.Yu., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Jakiela R. Optical and electrical studies of arsenic–implanted HgCdTe films grown with molecular beam epitaxy on GaAs and Si substrates // Infrared Physics & Technology. -2017 –81. -P.52-58. PDF
[17] Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Bonchyk O.Yu, Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Yakushev M.V., Jakiela R., Trzyna M. Properties of arsenic–implanted Hg1-xCdxTe MBE films // EPJ Web of Conferences. -2017 –133. -P.01001(4). PDF
[18] Syvorotka I.I., Pavlyk L.P., Ubizskii S.B., Buryy O.A., Savytskyy H.V., Mitina N.Y., Zaichenko O.S. Determination of Magnetic Parameters of Maghemite (γ-Fe2O3) Core-Shell Nanoparticles from Nonlinear Magnetic Susceptibility Measurements // Nanoscale Research Letters. -2017 –12. -P.277(6). PDF
[19] И. Ижнин, Е. Фицыч, А. Войцеховский, А. Коротаев, К. Мынбаев, В. Варавин, С. Дворецкий, Н. Михайлов, М. Якушев, А. Бончик, Г. Савицкий, З. Свёнтек Дефекты в имплантированных мышьяком р+-n-и n+-p-структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ // Известия высших учебных заведений. -2017 –60, №10. -P.92-97. PDF
[20] Z. Świątek, H. Kazimierczak, P. Ozga, O. Bonchyk, H. Savytskyy Structural and Microstructural Analysis of Zn–Mo Alloy Layers Electrodeposited from Aqueous Citrate Solution // Metallofizika i Noveishie Tekhnologii. -2017 –39, №11. -P.1547-1556. PDF

2016

[21] Świątek Z., Yakushev M.V., Izhnin I.I., Ozga P., Mynbaev K.D., Varavin V. S., Marin D.V., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A., Voitsekhovski A.V., Savytskyy H.V., Bonchyk O.Yu. Electrical and optical studies of a tellurium-related defect in molecular-beam epitaxy–grown HgCdTe // Physica Status Solidi (С). -2016 –13, №7. -P.461-464. PDF
[22] Świątek Z., Ozga P., Izhnin I.I., Fitsych E.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Bonchyk A.Yu., Savytsky H.V. Electrical and Optical Studies of Defect Structure of HgCdTe Films Grown by Molecular Beam Epitaxy // Russian Physics Journal. -2016 –59, №3. -P.442-445. PDF
[23] D.V. Lyapunov, A.A. Pishchagin, D.V. Grigoryev, A.G. Korotaev, A.V. Voitsekhovskii, A.P. Kokhanenko, I.I. Iznin, H.V. Savytskyy, A.U. Bonchik, S.A. Dvoretskii, N.N. Mikhailov Effect of a boron implantation on the electrical properties of epitaxial HgCdTe with different material composition // Journal of Physics: Conference Series. -2016 –741, №1. -P.012097(5). PDF
[24] Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.C., Дворецкий С.А. , Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Свёнтек З., Озга П. Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок CdHgTe // Известия вузов. Физика. -2016 –59, №3. -P.110-113. PDF

2015

[25] Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Bonchyk A.Yu., Savytskyy H.V., Fitsych O.I. Long-term stability of electron concentration in HgCdTe-based p–n junctions fabricated with ion etching // Infrared Physics & Technology. -2015 –73, №11. -P.158-165. PDF
[26] Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., , Варавин В.C., Дворецкий С.А. , Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В. Долговременная стабильность CdHgTe n+-n –структур, сформированных ионным травлением // Известия Вузов. Физика. -2015 –58, №8. -P.222-226. PDF

2014

[27] Swiątek Z., Kazimierczak H., Ozga P., Bonchyk O., Savytskyy H., Michalec M. X-ray structural and microstructural analysis of electrolytic Zn-Mo layers studies and ab initio calculations // Фіз.- хім. механіка матеріалів. Спец.- випуск №10. Проблеми корозії та протикорозійного захисту матеріалів.. -2014 –10. -P.305-309.

2013

[28] I.I.Izhnin, G.V.Savitskii, E.I.Fitsych, S.A.Dvoretsky, N.N.Mikhailov, V.S.Varavin, K.D.Mynbaev Relaxation of a radiation-damaged layer formed during ion-beam milling of CdHgTe solid solutions // Technical Physics Letters. -2013 –39, №1. -P.16-19. PDF
[29] I.I.Izhnin, H.V.Savytskyy, O.I.Fitsych, J.Piotrowski, K.D.Mynbaev Electrical properties of HgCdTe films grown by MOCVD and doped with As // Opto-Electronics Review. -2013 –21, №2. -P.220-226. PDF
[30] Фодчук І.М., Заплітний Р.А., Гуцуляк І.І., Яремій І.П., Бончик О.Ю., Савицький Г.В., Томин У.О. Характеристика дефектної структури плівок Y2,95La0,05Fe5O12 після іонної імплантації // Фізика і хімія твердого тіла. -2013 –14, №3. -P.547-552. PDF
[31] Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Ижнин И.И., Савицкий Г.В., Бончик А.Ю. Исследование методом спектроскопии адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-хCdхTe после ионной имплантации // Изв. Вузов. Физика.. -2013 –56, №9. -P.85-88.
[32] Фодчук И.М., Довганюк В.В., Гуцуляк И.И., Яремий И.П., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Cыворотка И.М., Скакунова О.Г. Рентгеновская дифрактометрия структуры железоиттриевых гранатов легированных лантаном после ионной имплантации // Металлофизика и новейшие технологии. -2013 –35, №9. -P.1372-1383.
[33] Fodchuk І.M., Gutsuliak I.I., Zaplitniy R.A., Balovsyak S.V., Yaremiy І.P., Bonchyk О.Yu., Savitskiy G.V., Syvorotka І.M., Lytvyn P.M. Magnetic force microscopy of YLaFeO films implanted by high dose of nitrogen ions // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. -2013 –16, №3. -P.246-252. PDF

2012

[34] Ижнин И.И., Савицкий Г.В., Фицыч Е.И., Дворецкий С.А. , Михайлов Н.Н., Варавин В.C. , Мынбаев К.Д. Релаксация радиационно-нарушенного слоя, формирующегося при ионно-плазменном травлении твердых растворов CdHgTe // Письма в ЖТФ. -2012 –38, №24. -P.10-17. PDF
[35] I.I.Izhnin, K.D.Mynbaev, M.V.Yakushev, A.I.Izhnin, E.I.Fitsych, N.L.Bazhenov, A.V.Shilyaev, H.V.Savitskyy, R.Jakiela, A.V.Sorochkin, V.S.Varavin, S.A.Dvoretsky Electrical and optical properties of CdHgTe films grown by molecular-beam epitaxy on silicon substrates // Semiconductors. -2012 –46, №10. -P.1341–1345. PDF
[36] Izhnin I.I., Izhnin A.I., Savytskyy H.V., Vakiv M.M., Stakhira Y.M., Fitsych O.I., Yakushev M.V., Sorochkin A.V., Sabinina I.V., Dvoretsky S.A., Sidorov Yu.G., Varavin V.S., Pociask-Bialy M., Mynbaev K.D. Defect structure of HgCdTe films grown by molecular-beam epitaxy on Si sabstrates // Semiconductor Science and Technology. -2012 –27, №3. -P.035001(4). PDF
[37] Ижнин И.И., Мынбаев К.Д., Якушев М.В., Ижнин А.И., Фицыч Е.И., Баженов Н.Л., Шиляев А.В., Савицкий Г.В., Jakiela R., Сорочкин А.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А. Исследование структуры дефектов в пленках CdxHg1-xTe, выращенных жидкофазной эпитаксией, с помощью низкоэнергетической ионной обработки // Физика и техника полупроводников. -2012 –46, №10. -P.1363-1367. PDF
[38] Izhnin I.I., Izhnin A.I., Savytskyy H.V., Fitsych O.I., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Sidorov Yu.G., Mynbaev K.D. Defects in HgCdTe grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates // Opto-Electronics Review. -2012 –20, №4. -P.375-378. PDF
[39] Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Ижнин И.И., Савицкий Г.В., Бончик А.Ю. Электрофизические характеристики МДП-структур на основе КРТ после ионной имплантации бора // Изв. Вузов. Физика. -2012 –55, №8. -P.136-137.
[40] Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Войцеховский А.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Варавин В.С., Мынбаев К.Д. Динамика электрических свойств конвертированных при ионной имплантации и ионном травлении n-слоев в р-CdxHg1-xTe // Изв. Вузов. Физика. -2012 –55, №8. -P.148-149.

2011

[41] Swiatek Z., Michalec M., Levintant-Zayonts N., Bonarski J., Budziak A., Bonchyk O., Savitskij G. Structural evolution of near-surface layers in NiTi alloy caused by an ion implantation // Acta physica polonica (A). -2011 –120, №1. -P.75–78. PDF

2010

[42] Z.Swiatek, N.Levintant-Zayonts, M.Michalec, T.Czeppe, M.Lipinski, O.Bonchyk, G.Savitskij Creation of wear-resistant near-surface-layers with inhomogeneous structure on NiTi alloy by ion implantation technology // Physics Procedia. -2010 –10. -P.69-76.
[43] I. I. Izhnin, S. A. Dvoretsky, K.D. Mynbaev, N. N. Mikhailov, Yu. G. Sidorov, V. S. Varavin, R. Jakiela, M. Pociask, G. Savitsky. Arsenic incorporation in MBE-grown HgCdTe studied with the use of ion milling // Phys. Status Solidi (C). -2010 –7, №6. -P.1618–1620. PDF

Conference:

  • D.Yu.Sugak, I.I.Syvorotka, O.A.Buryy, U.V.Yakhnevych, N.Levintant-Zayonts, H.V.Savytskyy, O.Yu.Bonchyk The nanoindentation of Cu diffusion layers in LiNbO3 crystal // 7th International Conference "Nanotechnologies and Nanomaterials" NANO-2019 (Lviv, Ukraine, 27 - 30 August, 2019). -2019. -P.463.
  • O.Yu.Bonchyk, H.V.Savytskyy, I.I.Izhnin, K.D.Mynbaev, A.G.Korotaev, A.V.Voitsekhovskii, O.I. Fitsych, V.S.Varavin, S.A.Dvoretsky, N.N.Mikhailov, M.V.Yakushev, Y. Morgiel, Z.Swiatek Nanosize defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with TEM // 7th International Conference "Nanotechnologies and Nanomaterials" NANO-2019 (Lviv, Ukraine, 27 - 30 August, 2019). -2019. -P.493.
  • Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Котораев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Ozga P., Świątek Z. Дефектная структура имплантированных As МЛЭ пленок CdHgTe // ХХIV Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, Россия, 24-27 мая, 2016). -2016. -P.80-82.
  • Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Котораев А.Г., Коханенко А.П., Ижнин И.И., Савицкий Г.В., Бончик А.Ю., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации бора в эпитаксиальные пленки Hg1-хCdхTe различного состава // ХХIV Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, Россия, 24-27 мая, 2016). -2016. -P.419-420.
  • Fitsych O.I., Izhnin I.I., Voitsekhovski A.V., Korotaev A.G., Bonchyk O.Yu., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Świątek Z., Ozga P. Properties of arsenic–implanted CdxHg1-xTe MBE structures // 7th International Scientific and Technical Conference “Sensors Electronics and Microsystem Technologies” (SEMST-7) (Odessa, Ukraine, May 30 - June 3, 2016). -2016. -P.129.
  • Izhnin I.I., Voitsekhovskiі A.V., Korotaev A.G., Fitsych О.I., Bonchyk O.Yu., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Jakiela R., Trzyna M. Properties of arsenic–implanted CdxHg1-xTe MBE films // International Conference on Semiconductor Nanostructures for Optoelectronics and Biosensors (IC SeNOB 2016) (Rzeszow, Poland, May 22-25, 2016). -2016. -P.82.
  • Izhnin I.I., Voitsekhovskiі A.V., Korotaev A.G., Fitsych О.I., Bonchyk O.Yu., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Jakiela R., Levintant-Zayonts N. Electrical and optical properties of arsenic–implanted CdxHg1-xTe MBE films // XI-th International Conference Ion Implantation and Others Applications of Ions and Electrons (Ion-2016) (Kazimierz Dolny, Poland, June 13-16, 2016). -2016. -P.72.
  • Фіцич О.І., Іжнін І.І., Войцеховський О.В., Коротаєв О.Г., Варавін В.С., Дворецький С.О., Михайлов М.М., Якушев М.В., Бончик О.Ю., Савицький Г.В., Jakiela R., Минбаєв К.Д. Особливості імплантації As в МПЕ плівках CdхHg1-хTe // VІІ Українська наукова конференція з фізики напівпровідників УНКФН-7 (Дніпро, Україна, 26–30 вересня, 2016). -2016. -P.332-333.
  • Bonchyk O.Yu., Mohylyak I.A., Savytskyy H.V., Fitsych O.I., Voitsekhovsky A.V., Izhnin I.I. Comparison of Background Donor Concentration in HgCdTe Grown with Different Technologies // ХV International Conference on Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems (Ivanо-Frankivsk, Ukraine, 11-16 May, 2015). -Book of abstracts. Ivano-Frankivsk: Vasyl Sterfanyk Precarpathian National Universuty. -2015. -P.258. Link
  • Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Фицыч Е.И., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Мынбаев К.Д., Варавин В.C., Дворецкий С.А. , Михайлов Н.Н., Якушев М.В. Долговременная стабильность р-n –переходов в МЛЭ гетероструктурах CdхHg1-хTe, сформированных ионным травлением // VIII Meждународная Нayчная Koнференция «Функциональная база наноэлектроники» (Xapьков – Одесса, Украина, 28 сентября – 02 октября, 2015). -Сборник научных трудов. -2015. -P.171-175.
  • Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Варавин В.C., Дворецкий С.А. , Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Мынбаев К.Д. Релаксация и долговременная стабильность МЛЭ CdHgTe n+-n –структур, сформированных ионным травлением // Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника-2015» (Новосибирск, Россия, 12-16 октября, 2015). -Тезисы докладов. -2015. -P.42.
  • Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.C., Дворецкий С.А. , Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Świątek Z., Ozga P. Электрофизические и оптические исследования нейтральных дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg1-xTe // XII Российская конференция по физике полупроводников (Ершово (Москва), Россия, 21–25 сентября, 2015). -Тезисы докладов. -2015. -P.333.
  • Yakushev M.V., Izhnin I.I., Świątek Z., Ozga P., Mynbaev K.D., Varavin V. S., Marin D.V., Mikhailov N. N., Dvoretsky S.A., Voitsekhovski A.V., Savytskyy H.V., Bonchyk O.Yu. Electrical and optical studies of a tellurium-related defect in molecular-beam epitaxy–grown HgCdTe // 17th International Conference on II-VI Compounds and Related Marerials (Paris, France, 13-18 September , 2015). -Conference Book. -2015. -P.281.
  • И.М. Фодчук, И.И. Гуцуляк, Р.А. Заплитный, В.В.Довганюк, И.П. Яремий,А.Ю. Бончик, Г.В. Савицкий, И.М. Сыворотка Влияние высокодозовой ионной имплантации на структуру и магнитные свойства YLaFeO // 6-та Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (УНКФН-6) (Чернівці, Україна, 30 вересня – 4 жовтня, 2013). -2013. -P.59-60.
  • Ижнин И.И., Ижнин А.И., Савицький Г.В., Фицыч Е.И., Якушев М.В., Дворецкий С.А., Сидоров Ю.Г., Сорочкин А.В., Варавин В.С., Баженов Н.Л., Ширяев А.В., Мынбаев К.Д. Электрические и оптические свойства МЛЭ гетероэпитаксиальных структур CdxHg1-xTe, выращенных на кремниевых подложках // ХХII Международная научно-техническая конференция, школа молодых специалистов и выставка по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, Россия, 22-25 мая 2012, 2012). -Труды конференции. -2012. -P.199-200.
  • Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Бончик А.Ю., Савицький Г.В., Войцеховский А.В., Дворецкий С. А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Варавин В.С., Мынбаев К.Д. Релаксация электрических параметров n-слоев в МЛЭ эпитаксиальных пленках р-CdxHg1-xTe, сформированных ионной имплантацией и ионным травлением // ХХII Международная научно-техническая конференция, школа молодых специалистов и выставка по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, Россия, 22-25 мая, 2012). -Труды конференции. -2012. -P.206-208.
  • Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Войцеховский А.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Варавин В.С., Мынбаев К.Д. Релаксация дефектной структуры эпитаксиальных пленок CdHgTe, подвергнутых обработке низко- и высокоэнергетическими ионами // IV Всероссийская конференция «Физические и физико-химические основы ионной имплантации» (Новосибирск, Россия, 23-26 октября, 2012). -Тезисы. -2012. -P.28.
  • Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Войцеховский А.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Варавин В.С., Мынбаев К.Д. Динамика электрических свойств в конвертированных при ионной имплантации и ионном травлении n-слоев в p-CdxHg1-xTe // Международная научно-практическая конференция «Актуальные проблемы радиофизики АПР-2012» (Томск, Россия, 1-7 октября, 2012). -Тезисы. -2012.
  • Войцеховский А.В., Бончик А.Ю., Григорьев Д.В., Ижнин И.И., Коротаев А.Г., Коханенко А.П., Савицкий Г.В. Особенности процессов радиационного дефектообразования в эпитаксиальных пленках Hg1-xCdxTe различного состава при ионной имплантации и ионном травлении // Международная научно-практическая конференция «Актуальные проблемы радиофизики АПР-2012» (Томск, Россия, 1-7 октября, 2012). -Тезисы. -2012.
  • Войцеховский А.В., Бончик А.Ю., Григорьев Д.В., Ижнин И.И., Коротаев А.Г., Коханенко А.П., Савицкий Г.В. Ионная имплантация КРТ различного состава, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Международная научно-практическая конференция «Актуальные проблемы радиофизики АПР-2012» (Томск, Россия, 1-7 октября, 2012). -Тезисы. -2012.
  • U. Pietsch, A. Davydok, A. Biermanns, N. Pashniak, I. Fodchuk, S. Balovsyak, R. Zaplitnyy, I. Gutsuliak, A. Bonchyk, G. Savitskiy, I. Vivorotka, I. Yaremiy Structural changes in Y2.95La0.05Fe5O12 epitaxial films afterhigh-doze nitrogen ions implantation // 11th Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging (St.Petersburg, Russia, 15-20 September, 2012). -Book of abstracts. -2012. -P.374.
  • И.И.Ижнин, А.И.Ижнин, Г.В.Савицкий, Р.Я.Мудрий, С.А.Дворецкий, В.С.Варавий, Н.Н.Михайлов, Ю.Г.Сидоров, М.В.Якушев, И.М.Стахира, Е.И.Финыч, К.Д.Мынбаев, М.Поцяск-Белый Исследование влияния отжига на дефектную структуру МЛЭ пленок CdHgTe с помощью ионного травления // V Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (Ужгород, Україна, 9-15 жовтня, 2011). -2011. -P.175.
  • Савицкий Г.В., Костишин В.Г., Читанов Д.Н. Автоматизированный блок регулировки температуры для установки термоактивационной токовой спектроскопии // VIII Международная конференция Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов (Алматы, Казахстан, 9-10 июня, 2011). -2011. -P.533-542.
  • Z.Swiatek, N.Levintant-Zayonts, M.Michalec, T.Czeppe, M.Lipinski, O.Bonchyk, G.Savitskij Creation of wear-resistant near-surface-layers with inhomogeneous structure on NiTi alloy by ion implantation technology // E-MRS 2010 Spring Meeting (Strasbourg, France, June 7-11, 2010). -2010. -P.15.
  • Z. Swiatek;¤, M. Michalec, N. Levintant-Zayonts, J. Bonarski, A. Budziak, O. Bonchyk, G. Savitskij Structural evolution of near-surface layers in NiTi alloy caused by an ion implantation // ION 2010 (Kazimierz Dolny, Poland, June 14-17, 2010). -2010. -P.87.
  • N.Pashniak, I.Fodchuk, A. Davydok, A. Biermanns, U. Pietsch, S. Balovsyak, R. Zaplitniy, O.Bonchyk, G. Savitskiy, I. Vivorotka, I. Yaremiy High-dose implantation of Y2,95La0,05Fe5012 epitaxal films by nitrogen ions // 10th Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging (, 20-23 September, 2010). -2010. -P.142.
  • Савицкий Г.В., Костишин В.Г., Читанов Д.Н., Бончик А.Ю. Автоматизированная установка термоактивационной токовой спектроскопии // V Всероссийская конференция Физико-химические процессы в конденсированных средах и на межфазных границах (Воронеж, Россия, 3-8 октября, 2010). -Т.1. -2010. -P.170-173.
  • Савицкий Г.В., Костишин В.Г., Читанов Д.Н., Бончик А.Ю. Автоматизированная установка термоактивационой токовой спектроскопии для исследования электрически активных дефектов в диэлектрических оксидных пленках // Х Юбилейная международная научная конференция Химия твердого тела: наноматериалы, нанотехнологии (Ставрополь, Россия, 17-22 октября, 2010). -2010. -P.194-196.
  • I.Izhnin, S.Dvoretsky, N.Mikhailov, Yu.Sidorov, V.Varavin, R.Jakiela, M.Pociask, K.Mynbaev, G.Savitskyy Arsenic incorporation in MBE-grown HgCdTe studied with the use of ion milling // 14th International Conference on II-VI Compounds (St.Petersburg, Russia, August 24-28, 2009). -2009.
  • Вовканич Л., Власов А., Савицький Г., Лозинський А., Климович Ю. Комплексна діагностика анаеробних можливостей спортсменів // Збірник тез міжнародної наукової конференції “Фізичні методи в екології, біології та медицині” (Львів-Ворохта, 3-7 вересня, 2008). -2008. -P.40-41.
  • Власов А.П., Сторчун О.П., Бончик О.Ю., С.Г.Кияк С.Г, Г.В. Савицький Г.В., Свьонтек З. Особливості кристалічної структури варізонних шарів CdHgTe // ІІІ-я Українська наукова конференція з фізики напівпровідників / Тези доповідей.- УНКФН-3, Одеса, 2007-С. 187. (Одеса, 17-22 червня, 2007). -Тези доповідей.- УНКФН-3. -2007. -P.187.
  • Bonchyk O.Yu., Savitsky G.V., Levintant N., Starzynski G. Computer system of the diagnostic of implantation process // IV international symposium “Ion implantation and other application of ions and electrons (Kazimierz Dolny, Poland, , 2002). -2002.
  • Bonchic O.Yu., Kiyak S.G., Gotra Z.Yu., Lopatynsky I., Proszak W., Savitsky G.V. Surface modification of semiconductors under the action of laser radiation // Proceedings XXIV International conference IMAPS (Poland, , 2000). -2000. -P.287-290.
  • Бончик О.Ю., Готра З.Ю., Кияк С.Г., Похмурська Г.В., Савицький Г.В. Фундаментальні і прикладні аспекти взаємодії потужного лазерного випромінювання з напівпровідниками // International Conference on Optoelektronic Information Technologies (Vinnytsia, Ukraine, , 2000). -2000. -P.16-17.
  • Бончик О.Ю., Кияк С.Г., Паливода І.П., Похмурська Г.В., Савицький Г.В. Фундаментальні аспекти взаємодії потужних світлових потоків з напівпровідниками (фізика, технологія, застосування, перспектива) // Матеріали 2-го міжнародного Смакулового симпозіуму (Тернопіль, , 2000). -2000. -P.130-131.